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标题: [硬件改造] 芯片记忆依然掉记录 [打印本页]

作者: tzenix 时间: 2025-8-18 18:59 标题: 芯片记忆依然掉记录

最近发现手头一盘SFC DQV就算换上新电池也会丢记录（大概3小时左右丢）
于是就研究芯片记忆，用FRAM（FM016W08）替换掉了SRAM（6264）。
存了3个档，过了一天，发现第一个档居然消失了。游戏还给出提示，说“很不幸存档丢失了”
居然还有这种事？要是3个档全丢，我还可以理解，这只丢一个是什么情况？

作者: 性博士 时间: 2025-8-18 19:07

posted by wap, platform: iPhone
有可能被破坏了。卡上sram换fram，没有额外电路保护的话，主机掉电很容易造成总线误动作。

作者: SSforME 时间: 2025-8-18 19:55

sfc存档似乎有crc校检
如果写入错误或者写入失败就会被认为丢档

我以前用ue直接改snes9x的sram存档就遇到过

作者: tzenix 时间: 2025-8-18 20:23

我草，原来SFC卡带这么难伺候啊
而且我这个档还是最初存的档，后面又存了2个，按说最不该掉的就是这个档啊
那我研究下如何加保护电路

作者: 惆怅的蚂蚁 时间: 2025-8-18 21:48

我的神游GBA的瓦里奥大陆正版卡也掉过存档，玩着玩着某天进去就没有了，气人

作者: tzenix 时间: 2025-8-18 22:28

引用:

原帖由 惆怅的蚂蚁 于 2025-8-18 21:48 发表
我的神游GBA的瓦里奥大陆正版卡也掉过存档，玩着玩着某天进去就没有了，气人

是芯片记忆吗

作者: 惆怅的蚂蚁 时间: 2025-8-18 22:47

posted by wap, platform: iPhone
是的

作者: dwb 时间: 2025-8-18 23:31

引用:

原帖由 tzenix 于 2025-8-18 18:59 发表
最近发现手头一盘SFC DQV就算换上新电池也会丢记录（大概3小时左右丢）
于是就研究芯片记忆，用FRAM（FM016W08）替换掉了SRAM（6264）。
存了3个档，过了一天，发现第一个档居然消失了。游戏还给出提示，说“很不幸 ...

这里有更换feram后文件丢失的讨论，希望能帮助到你
https://forums.nesdev.org/viewtopic.php?t=24180

作者: tzenix 时间: 2025-8-19 00:32

引用:

原帖由 惆怅的蚂蚁 于 2025-8-18 22:47 发表
posted by wap, platform: iPhone
是的

看来芯片记忆也没那么神啊

引用:

原帖由 dwb 于 2025-8-18 23:31 发表

这里有更换feram后文件丢失的讨论，希望能帮助到你
https://forums.nesdev.org/viewtopic.php?t=24180

多谢

作者: elitex 时间: 2025-8-19 08:43

你这是直换FM016W08？要加别的芯片吧

作者: tzenix 时间: 2025-8-19 10:33

引用:

原帖由 elitex 于 2025-8-19 08:43 发表
你这是直换FM016W08？要加别的芯片吧

是吗，还需要加什么芯片呢

作者: elitex 时间: 2025-8-19 14:59

引用:

原帖由 tzenix 于 2025-8-19 10:33 发表

是吗，还需要加什么芯片呢

怎么可能直接替换呢，8楼的链接里讲的很清楚了

作者: tzenix 时间: 2025-8-22 21:48

今天又查看了一次，结果没再掉记录了
这就麻烦了
我不好测试了，就算我做了什么改动，也看不出变化
有什么容易导致掉记录的操作吗

作者: tzenix 时间: 2025-9-14 22:57

最近又做了一些研究
1.这个帖子里讨论的是FM18W08，之所以要加74HC02，是因为FM18W08是同步FRAM
而我用的是FM16W08，是异步FRAM，因此是不需要74HC02的
2.我发现网上很多GBA卡带改芯片记忆的做法，就是直接用FM18替代SRAM，也没有额外加任何东西，但给FC或者SFC卡带替换FRAM，就加了74HC02，无论用的是FM16还是FM18
所以我感觉好混乱

另外，我怀疑我这盘掉记录可能不是芯片的问题，也不是电路的问题
有可能是游戏本身的设计，勇者斗恶龙系列似乎有主动删你记录的传统……

[ 本帖最后由 tzenix 于 2025-9-15 10:08 编辑 ]

作者: mike11 时间: 2025-9-15 09:24

芯片看来也不是100%啊。。。一直以为芯片绝对没问题。。。。。。

作者: elitex 时间: 2025-9-15 10:21

引用:

原帖由 mike11 于 2025-9-15 09:24 发表
芯片看来也不是100%啊。。。一直以为芯片绝对没问题。。。。。。

别听他胡扯，记忆芯片现在很成熟了，不存在任何问题

作者: tzenix 时间: 2025-9-16 23:50

引用:

原帖由 elitex 于 2025-9-15 10:21 发表

别听他胡扯，记忆芯片现在很成熟了，不存在任何问题

我哪有胡扯，你就不能友善点？我上面那帖回了那么多你无视，别人回个贴你就回复他说我在胡扯？
在贴吧我看见你跟你打招呼，你也无视我
大家都是玩家，不能心平气和的交流吗

这两个博主/up主给GBA卡带更换FRAM，就没有加任何其他芯片，直接用FRAM换掉SRAM搞定的，请解释下为什么他们没有加任何别的芯片
https://www.youtube.com/watch?v=haJ505LZZDg
https://blog-e.uosoft.net/entry/20220906/1662449672
而DQ系列卡带一贯有掉记录的传统，现在都能搜到一大堆日站文章的

我特地搜了FM18W08和FM16W08
FM18W08是synchronous的，而FM16W08是asynchronous的，所以https://forums.nesdev.org/viewtopic.php?t=24180里的讨论对FM16W08并没有什么意义
请问，既然FM16W08是异步的，为什么还需要加其他芯片？如果你有不同意见，欢迎你阐述出来，如果我发现我错了，我一定承认
别上来就一句“胡扯”完事
你那么忙，没空打几个字吗？

[ 本帖最后由 tzenix 于 2025-9-17 00:01 编辑 ]

作者: danmantemp 时间: 2025-9-17 14:20

老兄别生气，ls这位基本上没有干货，就会贬低别人，没必要认真。

不过dq删存档这个图啥，是程序bug么，总不该是故意的吧。

引用:

原帖由 tzenix 于 2025-9-16 23:50 发表

我哪有胡扯，你就不能友善点？我上面那帖回了那么多你无视，别人回个贴你就回复他说我在胡扯？
在贴吧我看见你跟你打招呼，你也无视我
大家都是玩家，不能心平气和的交流吗

这两个博主/up主给GBA卡带更换FRAM ...

作者: SONIC3D 时间: 2025-9-17 16:12

引用:

原帖由 tzenix 于 2025-9-14 22:57 发表
最近又做了一些研究
1.这个帖子里讨论的是FM18W08，之所以要加74HC02，是因为FM18W08是同步FRAM
而我用的是FM16W08，是异步FRAM，因此是不需要74HC02的
2.我发现网上很多GBA卡带改芯片记忆的做法，就是直接用FM18 ...

FM1808/FM18W08/FM1608/FM16W08全部是异步RAM，那篇文章里说的Synchronous其实作者想表达的是地址的确定只取决于/CE(片选)信号, 而SRAM上基本都以：读取时/OE和/CE中较晚发生的一个，写入时/WE和/CE中较晚发生的一个来作为地址锁存条件。
以上这个只是顺带一提，是同步RAM还是异步RAM不是你发生潜在数据错误的关键，不用去纠结，我也不展开说。

* 你改造后丢数据，主要来源于SRAM改FRAM时的2个常见遗漏。
1. FRAM的/CE脚的默认拉高。这个具体见FM1808/FM18W08,FM1608/FM16W08的datasheet。拉高的原因是在开机上电时，FRAM的/CE脚的驱动方如果是某些逻辑芯片的输出脚，而刚开机时因为这些逻辑芯片本身还未进入完全正常的工作状态，而导致/CE脚悬空信号高低电平不稳态，而导致地址被意外锁存，然后又被开机时异常浮动的/WE信号紧跟，导致了意外的数据写入。这个在SRAM时理论上也会发生，但是卡带的SRAM因为有一个CE2脚，它会被一个电源芯片管理，在电压完全到达工作状态前，电源管理芯片会使用纽扣电池作为SRAM的供电电源，并输出低电平给CE2脚，导致SRAM芯片此时是不会被/CE1的意外低电平片选的，所以杜绝了这个问题，而FRAM，因为只有一个/CE，所以稳妥的设计上，需要提供一个拉高电阻，也就是在FRAM的P20脚上直接接一个10K电阻，然后10K电阻另一头接卡带的Vcc(+5V)脚。（见图1）
2. 高地址线浮空未接。DQ5等SFC游戏，大多用64Kbit的SRAM，地址线A12..A0，而FM1808/FM18W08是256Kbit的FRAM，地址线A14..A0，你可以看成是4个64K的RAM在那里，如果FM1808/FM18W08的A13和A14是没有接任何地址线的，那就会浮空，浮空时它们的值是不确定的，当读写发生时，可以看成是4片64KRAM中的某一片在那里被随机选择了一片，读取了或写入到了A12-A0地址的内容。所以A14(1号脚)和A13(26号脚)要给它们确定的值，0或者1都可以，总之要确定，所以一般把它们接地，也就是取0值输入给它们。特别注意，因为A13地址线在Pin26上，而这个脚在卡带的SRAM上是CE2脚，是有输入信号的，所以自己做转接板时，不要把FRAM的26脚直接接到原来板子的26脚上，否则会导致和供电管理芯片输出的信号对接，而FRAM的A14脚是P1，这个在64Kbit的SRAM上是无连接的脚，所以一般原卡带PCB上这个P1也是不接线的，如果原卡带PCB上这个P1是有接线的，那也要特别注意，不要你提供的是GND而原来卡带的接线是VCC，那就短路烧鸡了。

* 你看的那个nesdev帖子里的OSHPark的那个电路板做了什么：
1. 它在原来SRAM的P20脚也就是/CE1脚加了我第1点说的拉高电阻R1，然后输入给74HC00
2. 它把FRAM的P1/P26脚接了GND，也就是完成了我第2点说的
3. 它额外把原来SRAM的P22和P27脚的/OE和/WE接到了74HC00，然后通过74HC00的逻辑，去输出一个信号作为FRAM的/CE信号，输出表达式是
!FRAM.CE_n = !SRAM.CE1_n & !(SRAM.OE_n & SRAM.WE_n)
它的目的，是为了确保只在读取或写入的开始时，才发生FRAM的/CE的下降沿，也就是锁存地址。本意是因为FRAM芯片在/CE发生一次下降沿后，就算地址再怎么变化，期间/OE和/WE就算有跳高电平，然后重新跳地电平进行新的写入，写入的地址都不会再变化，因为它的目标地址锁存只发生在那次/CE下降沿的时候。(见图2) 但这个其实对MD和SFC都不必须，因为这两个机器，它们官方卡带提供给SRAM部分的/CE信号，每一次地址变化的写入，都会重新产生一次/CE下降沿。但是加了这个逻辑是更稳妥的，尤其是如果不是官方的卡带线路设计，而是第三方的PCB设计，用的/CE信号来源有差异时。

* 现在你该做什么最简步骤来改造你已经装了FRAM(但是偶发不太正常)的卡（无需装74HC00）
以芯片一端的半月牙形缺口朝正上方，芯片文字面对着自己为基准，左上角为P1，左下角为P14，右下角P15，右上角为P28
1. 剪断P1脚，和P26脚和卡带PCB之间的连接，并将这FRAM的这两个脚，和FRAM的P14脚(GND脚)进行连接。使A13/A14地址线确定。
2. 在FRAM的P20脚，接一个10K电阻，电阻另一端，飞线到FRAM的P28脚(VCC脚)。（FRAM的P20脚不用和卡带PCB的SRAM芯片的P20脚断开，要让它们维持连接的）

[ 本帖最后由 SONIC3D 于 2025-9-17 16:37 编辑 ]

作者: elitex 时间: 2025-9-17 16:50

引用:

原帖由 SONIC3D 于 2025-9-17 16:12 发表

FM1808/FM18W08/FM1608/FM16W08全部是异步RAM，那篇文章里说的Synchronous其实作者想表达的是地址的确定只取决于/CE(片选)信号, 而SRAM上基本都以：读取时/OE和/CE中较晚发生的一个，写入时/WE和/CE中较晚发生的 ...

大神终于下场了！再次学习了感谢

作者: elitex 时间: 2025-9-17 16:58

引用:

原帖由 SONIC3D 于 2025-9-17 16:12 发表

FM1808/FM18W08/FM1608/FM16W08全部是异步RAM，那篇文章里说的Synchronous其实作者想表达的是地址的确定只取决于/CE(片选)信号, 而SRAM上基本都以：读取时/OE和/CE中较晚发生的一个，写入时/WE和/CE中较晚发生的 ...

SFC卡有256Kb的记忆，这些卡SRAM也没有CS2脚，这个是怎么做到不被CS1意外低电平片选的？

作者: dwb 时间: 2025-9-17 18:24

引用:

原帖由 danmantemp 于 2025-9-17 14:20 发表
老兄别生气，ls这位基本上没有干货，就会贬低别人，没必要认真。

不过dq删存档这个图啥，是程序bug么，总不该是故意的吧。

dq不会删存档

作者: tzenix 时间: 2025-9-19 20:55

引用:

原帖由 danmantemp 于 2025-9-17 14:20 发表
老兄别生气，ls这位基本上没有干货，就会贬低别人，没必要认真。

不过dq删存档这个图啥，是程序bug么，总不该是故意的吧。

可能我表述不准确
DQ系列都有容易掉存档的传统

作者: tzenix 时间: 2025-9-19 20:57

引用:

原帖由 SONIC3D 于 2025-9-17 16:12 发表

FM1808/FM18W08/FM1608/FM16W08全部是异步RAM，那篇文章里说的Synchronous其实作者想表达的是地址的确定只取决于/CE(片选)信号, 而SRAM上基本都以：读取时/OE和/CE中较晚发生的一个，写入时/WE和/CE中较晚发生的 ...

好高深
先感谢再慢慢看

我是用的FM16W08，而不是FM18，那么，所需要做的改造步骤有什么不同吗？尤其你下面这一段，如果是用的FM16W08，又有什么不同呢？因为我之前查资料，发现FM16W08是64K的，所以就用FM16W08来改了同样是64K SRAM的DQ5，那么是不是就不存在你所说的“片选”了？也就不需要处理地址线了？

2. 高地址线浮空未接。DQ5等SFC游戏，大多用64Kbit的SRAM，地址线A12..A0，而FM1808/FM18W08是256Kbit的FRAM，地址线A14..A0，你可以看成是4个64K的RAM在那里，如果FM1808/FM18W08的A13和A14是没有接任何地址线的，那就会浮空，浮空时它们的值是不确定的，当读写发生时，可以看成是4片64KRAM中的某一片在那里被随机选择了一片，读取了或写入到了A12-A0地址的内容。所以A14(1号脚)和A13(26号脚)要给它们确定的值，0或者1都可以，总之要确定，所以一般把它们接地，也就是取0值输入给它们。特别注意，因为A13地址线在Pin26上，而这个脚在卡带的SRAM上是CE2脚，是有输入信号的，所以自己做转接板时，不要把FRAM的26脚直接接到原来板子的26脚上，否则会导致和供电管理芯片输出的信号对接，而FRAM的A14脚是P1，这个在64Kbit的SRAM上是无连接的脚，所以一般原卡带PCB上这个P1也是不接线的，如果原卡带PCB上这个P1是有接线的，那也要特别注意，不要你提供的是GND而原来卡带的接线是VCC，那就短路烧鸡了。

另：为什么那两个日站的人给GBA卡带改芯片记忆，就是直接用FRAM替换SRAM，而没有加任何其他东西呢？是GBA卡带的结构适合这样改造吗？还是他们其实也跟我一样菜？（这个可能性应该不大，其中一个是youtuber，我看评论里没有一个人指出他这样改有问题）

[ 本帖最后由 tzenix 于 2025-9-19 21:12 编辑 ]

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