iPhone6 Plus存缺陷恐将召回

转自中关村在线

最近某新闻资讯网站刊文称《iPhone 6 Plus存新质量问题 恐大规模召回》，文章内容如下： 本身供应就不多iPhone 6 Plus接连爆出问题，这次又有新的事情发生。 台媒、韩国（就是台湾的《中时电子报》）给出的最新报道称，iPhone 6 Plus存在质量上的问题，其会频繁死机，可能是使用的TLC NAND存储器控制IC的问题。

报道中强调，苹果为了节省成本，使用了TLC NAND存储器控制，虽然存容量更多，但是读取/写入的速度比较慢。 之前已经有不少果粉在苹果的官方论坛表示，自己的iPhone 6 Plus送修多次，最夸张的一位送修了4次依然没有解决问题。业内人士指出，这很可能是iPhone内部NAND Flash控制的IC品质瑕疵所导致。 如果这是真的，那么苹果或将因此宣布大规模召回。 小兵读书少很容易被骗，读完此文顿时觉着苹果这下玩大了，这不是把自己给牌子砸了么？但等小兵回过神，觉得不对，众说周知苹果一直都靠iPhone赚取暴利，最近也有新闻报道iPhone 6利润率高达70% ，试想如此暴利的产品苹果会节省那么点成本而用低质量的存储控制么？ 另外文中所提到的iPhone6 Plus使用的是TLC NAND存储芯片，小兵也特意翻出iPhone 6 Plus的拆机图，通过拆机图我们可以看到iPhone6 Plus用的是海力士H2JTDG8UD1BMS储存芯片。


红色：SK海力士H2JTDG8UD1BMS 128 GB NAND闪存 橙色：村田339S0228 WiFi模块 黄色：苹果PMIC338S1251-AZ 绿色：博通BCM5976触摸屏控制器 对于SK海力士H2JTDG8UD1BMS是不是TLC这个小兵作为业余也不太清楚，所以就百度一下，但除了一堆收购信息就没看见别的，百度搜正经资料的能力你们懂的……于是只好翻到墙那边借助谷歌大婶的力量找到了海力士官网提供的存储芯片规格表，规格表中未明确指明是TLC还是MLC,只归类为E2 NAND 3.0。所以小兵又google了一下，在国外某一专业网站上刊登了该款存储芯片的测试报告，报告中指明这款新品就是iPone 6 Plus所使用的海力士H2JTDG8UD1BMS，而且该款存储芯片就是16 nm NAND MLC Flash Memory，可以确定它是MLC而不是TLC。


有想继续研究的网友们可以**到以下网址查看：http://www.techinsights.com/repo ... ?ReportKey=10209MLC和TLC的区别在哪呢？ SLC=Single-LevelCell，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC3倍以上的价格），约10万次擦写寿命
　　
　　MLC=Multi-LevelCell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命
　　
　　TLC=Trinary-LevelCell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次，且TLC写入速度也是硬伤。 TLC性能如此不堪，而且只有约500次擦写寿命，苹果怎么敢把这货放到自己的旗舰产品上呢？ 文中提到iPhone的存储存储器控制虽然存容量更多但是读取/写入的速度比较慢。对于这个问题国外媒体已经测试过：



iPhone 6/6 Plus/5S的持续读写都很牛，6上更是遥遥领先，但是随机读写相当一般，也就是中档水平。手机和平板不像PC、笔记本那样频繁执行多任务，因此持续性能对总体体验更加重要，iPhone 6自然因此更胜一筹。速度如此之快怎么可能是TLC。
最后文中说的不少果粉在苹果的官方论坛表示，自己的iPhone 6 Plus送修多次，最夸张的一位送修了4次依然没有解决问题。这个事情在10月份新闻已经报道过，但他们有个共同的特征：他们都在128GB的iPhone 6 Plus手机装的应用数量都超过了700个，崩溃后用户无法进行任何操作。别说苹果了，要是在安卓手机上装700个应用你试试会怎样！ 小兵觉得某媒体刊登未确定真伪的新闻，自己也不核实一下具体细节，靠着黑苹果吸引眼球赚点击量是极不负责的。

拆机图
http://www.360doc.cn/article/14979747_411009725.html