闪存目前还是40nm的，只是层数越来越多，但你要说堆层数就没上限么，我觉得从现在200+层数的都改2次堆叠来看，堆层也已经到了软上限了，之后再加层恐怕成本就不会同步下降了。

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原帖由 紫の游侠 于 2023-1-5 17:29 发表
华为的NM卡为什么还是那么贵

跟索尼记忆棒一样的原因

非通用部件，上不了量，仓储风险很高。

[ 本帖最后由 卖哥 于 2023-1-5 19:48 编辑 ]

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原帖由 Alloyo 于 2023-1-5 20:12 发表
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“摩尔”是个毛“定律”，只是恰逢“差不多”算上一个研发生产周期

很多人不解为啥能够如此“准确”的每年“性能翻倍，价格减半”，呵呵，那是因为都是市场主导的，每年一波“新 ...

摩尔定律真正有意义的其实不是那个周期，因为这个时间间隔最初说法是1年，然后说是2年，后来又是18个月，本身间隔就在变。

其中真正的科学是平面晶体管的物理规律
线宽缩减到70%，晶体管面积缩小的1/2
晶体管放电电流缩减到70%，晶体管通断变化需要的电量缩小到1/2，完成一次充放电时间缩减为70%。
因此摩尔定律不仅仅是工艺周期，也是成本变化周期，也是性能提升周期。

而摩尔定律的终结也是从不再能延续过去等比缩小平面晶体管的开始的
现在差不多每2代工艺就要改变晶体管结构，即使同结构晶体管的工艺节点间也不再是等比缩小，因为结构一直再变，之前那些因为缩小自然而然带来的成本降低性能提升就不可保证了。